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我国研制出超高强度高导电性纳米孪晶纯铜

2004-5-22 新华网

  超高强度和高导电性,这两种性能在工业应用的金属材料中往往是鱼和熊掌不可兼得,也是一项长期以来有待解决的重大科学难题。我国科学家经过深入研究,利用纳米技术的新途径成功实现金属材料的超高强度和高导电性,突破了这一难题。   

  众所周知,工业中应用的导电材料绝大多数是各种金属和合金材料。强度和导电性是导体金属材料的两个至关重要性能,在工业应用中往往需要导体材料同时具有高强度和高导电性。像导电磁铁线圈中的导线既要承受巨大的电磁作用力,又要保持较低电阻以降低电流导致的温度升高。

  然而,在常规金属材料中这两种性能往往相互抵触,不可兼得。纯金属(如银、铜等)具有很高的导电率,但其强度极低。通过多种强化手段可以提高金属的强度,如合金化、晶粒细化或加工强化,但往往又导致金属材料电导率的大幅度降低。其原因在于这些强化技术本质上是在材料中引入各种缺陷,如晶粒细化引入更多晶界,加工强化引入大量位错,这些缺陷会显著增大对电子的散射,从而降低导电性能。

  为了解决这一难题,中科院金属研究所沈阳材料科学国家实验室,经过长期实验研究后,采用脉冲电解沉积技术,制备出具有高密度纳米尺寸生长孪晶的纯铜薄膜,通过工艺过程研究调整样品的晶粒尺寸、孪晶厚度及其分布、织构状态等,获得了具有超高强度和高导电性的纯铜样品。其拉伸强度是普通纯铜的十倍以上,达到高强度钢的强度水平,而室温电导率与无氧高导铜相当。

  利用纳米尺寸的生长孪晶强化金属的新途径,同时获得超高强度和高导电性,这在过去任何材料中均无法实现的。 “这一技术的关键在于孪晶界。这是一种低能共格晶界,它能够有效地阻位错运动并吸收部分位错,因此可以起到与普通晶界相似的强化作用。而它对电子的散射能力极小,其电阻值比普通晶界的电阻低一个数量级。”这个所所长卢柯认为,“通过制备出高密度纳米尺寸生长孪晶,可以大幅度提高材料的强度而对其电导特性无明显影响。”

  最近,美国科学周刊报道了此项成果,评审人认为这一技术是一个十分重要的突破,这是其它任何强化技术无法达到的,它再次用极为漂亮的实验结果演示,通过在纳米尺度上的结构设计可以从本质上优化材料的性能和功用。这不但为材料的强化技术和高强高导材料的研制开辟了一个新领域,而且将对相关工业应用领域产生重要推动作用,如超导磁铁技术、电力传输系统、机电装备及微机电系统等,并将对纳米材料技术的发展产生重要影响。

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